歸根結(jié)底，組織需要解決延遲問題，才能更快地找到實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)并進(jìn)行處理。顯然，欺詐檢測(cè)、合規(guī)性、電子發(fā)現(xiàn)和企業(yè)監(jiān)管等工作負(fù)載都需要具備“海底撈針”的能力，以防審計(jì)失敗或數(shù)據(jù)泄露。但是，面向公眾的應(yīng)用（例如 OLTP、客戶自助服務(wù)、呼叫中心、CRM、供應(yīng)鏈管理和市場(chǎng)營銷自動(dòng)化）還需要兼具精確度與速度。用于執(zhí)行事務(wù)處理和實(shí)時(shí)分析的混合系統(tǒng)正在蓬勃發(fā)展，對(duì)它們來說，存儲(chǔ)延遲變得至關(guān)重要。
如果沒有固態(tài)硬盤提供的速度，大數(shù)據(jù)分析就無法為大多數(shù)應(yīng)用提供可持續(xù)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
計(jì)算速度更快
要充分利用更快速的存儲(chǔ)系統(tǒng)，關(guān)鍵步驟之一就是確保服務(wù)器的計(jì)算中心可以達(dá)到數(shù)據(jù)處理所需的更高利用率。要使服務(wù)器配置達(dá)到性能目標(biāo)，同時(shí)又不超出預(yù)算，針對(duì)目標(biāo)應(yīng)用和工作負(fù)載均衡選擇 DRAM 至關(guān)重要。
現(xiàn)在，內(nèi)存/存儲(chǔ)分層結(jié)構(gòu)方面出現(xiàn)了一個(gè)值得思考的新轉(zhuǎn)折點(diǎn)——持久存儲(chǔ)。顧名思義，持久存儲(chǔ)位于 DRAM 總線上，可提供極低的 DRAM 延遲，同時(shí)可確保數(shù)據(jù)持久性。由于存儲(chǔ)總線存在限制，而且閃存需要更多的訪問模式，DRAM 的延遲比速度最快的固態(tài)硬盤低了若干數(shù)量級(jí)。
目前，持久存儲(chǔ)解決方案基于 DRAM 和閃存技術(shù)而構(gòu)建，被稱作“非易失性 DIMM”(NVDIMM)。這項(xiàng)新技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在于，它最終可將關(guān)鍵數(shù)據(jù)（就算是斷電也不能丟失的數(shù)據(jù)）遷移到離處理器盡可能近的位置。有效工作在 DRAM（例如標(biāo)準(zhǔn) DIMM）中完成，但是數(shù)據(jù)可在斷電時(shí)快速寫入閃存（電容器或電池系統(tǒng)在足夠長的時(shí)間內(nèi)為模組供電，以完成備份任務(wù)）。如果應(yīng)用中有經(jīng)常需要訪問或修改的元數(shù)據(jù)，或者只是應(yīng)用需要確保指定數(shù)據(jù)集實(shí)現(xiàn)盡可能快的速度，那么這是極具吸引力的選擇。
在近期的一篇文章中，一家領(lǐng)先的服務(wù)器 OEM 表示，Microsoft 運(yùn)用范圍極廣的 SQL Server 數(shù)據(jù)庫通過利用 NVDIMM，可將速度提升兩到四倍—性能得到了極大的提升。但是，這一說法最引人注目的一點(diǎn)可能在于，服務(wù)器系統(tǒng)才剛剛開始采用 NVDIMM；如果對(duì)操作系統(tǒng)和軟件應(yīng)用進(jìn)行全面優(yōu)化，可以充分利用內(nèi)存總線上的持久數(shù)據(jù)，那么性能將再次獲得大幅提升。不過，NVDIMM 提供的性能優(yōu)勢(shì)以及服務(wù)器市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局都在快速推動(dòng)著這些變化。所有希望在數(shù)據(jù)分析領(lǐng)域先人一步的 IT 管理員現(xiàn)在都應(yīng)該考慮如何將時(shí)效性最強(qiáng)的任務(wù)遷移到基于 NVDIMM 的持久存儲(chǔ)系統(tǒng)。
評(píng)估并選擇一整套適合大數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和內(nèi)存產(chǎn)品組合
現(xiàn)在，針對(duì)大數(shù)據(jù)和其他先進(jìn)工作負(fù)載革新和重新調(diào)整數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施非常重要，并且，這一點(diǎn)在未來數(shù)年內(nèi)會(huì)變得日益重要，同時(shí)也會(huì)極具挑戰(zhàn)性。但是，這并不一定意味著需要全盤更換。精明的 IT 決策者正在尋找全新的存儲(chǔ)和內(nèi)存選項(xiàng)，它們既要能順利適應(yīng)舊環(huán)境，又能為針對(duì)分析工作負(fù)載進(jìn)行了優(yōu)化的全新基礎(chǔ)設(shè)施奠定基礎(chǔ)。
美光科技是硅基存儲(chǔ)和內(nèi)存解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者，一直備受業(yè)界贊譽(yù)。其旗下?lián)碛胸S富的固態(tài)硬盤、DRAM 和 NVDIMM 產(chǎn)品系列，對(duì)于需要快速、可靠的大數(shù)據(jù)解決方案的基礎(chǔ)設(shè)施管理員來說，美光科技是他們理想的合作伙伴。特別值得一提的是，美光科技提供完整的產(chǎn)品線，可讓大數(shù)據(jù)變?yōu)?ldquo;大而快的數(shù)據(jù)”，而這現(xiàn)已成為以分析為中心的基礎(chǔ)設(shè)施的基礎(chǔ)。
以固態(tài)硬盤為例。在開發(fā)和提供各種適用于全新存儲(chǔ)環(huán)境的固態(tài)硬盤方面，美光科技一直處于領(lǐng)先地位。使用美光閃存解決方案的一個(gè)優(yōu)勢(shì)在于，該公司非常了解基礎(chǔ)閃存存儲(chǔ)介質(zhì)，因?yàn)檫@個(gè)介質(zhì)就是由美光設(shè)計(jì)和制造的。
固態(tài)硬盤的密度正在快速增加，并且正在超越傳統(tǒng)硬盤系統(tǒng)。有了這種容量上的跨越，購買閃存存儲(chǔ)比繼續(xù)使用旋轉(zhuǎn)式硬盤更有意義。此外，與基于 SATA 的傳統(tǒng)硬盤相比，基于 SATA 的固態(tài)硬盤的功耗要低得多，這可以極大地吸引注重節(jié)約成本的購買者。
與此同時(shí)，美光科技繼續(xù)通過最新的 3D NAND 解決方案在閃存存儲(chǔ)領(lǐng)域突破極限。這項(xiàng)新技術(shù)讓容量變成了之前的三倍。3D NAND 的容量更大、性能更高且能耗要求更低，因此非常適合要求最嚴(yán)苛的分析工作負(fù)載。
DRAM 是美光科技在 30 多年前推出的首款產(chǎn)品，該公司也一直是世界上最大的 DRAM 供應(yīng)商之一。美光提供采用各種技術(shù)和外形規(guī)格的 DRAM，并與每個(gè)重要的服務(wù)器 OEM 精誠合作。此外，美光還提供一整套非易失性 DIMM，該產(chǎn)品系列兼具 DRAM 的速度和 NAND 閃存的持久存儲(chǔ)優(yōu)勢(shì)，如上文所述。