中國(guó)半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊：以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料已引發(fā)全球矚目，成為全球半導(dǎo)體研究前沿和熱點(diǎn)。第三代半導(dǎo)體具備禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能，是固態(tài)光源、下一代射頻和電力電子器件的“核芯”，在半導(dǎo)體照明、消費(fèi)類電子、5G移動(dòng)通信、智能電網(wǎng)、軌道交通、雷達(dá)探測(cè)等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。預(yù)計(jì)到2020年，第三代半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用將在節(jié)能減排、信息技術(shù)、國(guó)防三大領(lǐng)域催生上萬(wàn)億元的潛在市場(chǎng)。
2016年11月15日至17日，第十三屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA2016)將在北京國(guó)際會(huì)議中心召開，并將與由中國(guó)科技部與北京市人民政府主辦的2016中國(guó)(北京)跨國(guó)技術(shù)轉(zhuǎn)移大會(huì)暨第三代半導(dǎo)體國(guó)際論壇(以下簡(jiǎn)稱“跨國(guó)技術(shù)轉(zhuǎn)移大會(huì)”)同期同地舉行。
其中，大會(huì)舉辦期間將從技術(shù)、產(chǎn)業(yè)、應(yīng)用等全鏈條策劃，通過(guò)高峰論壇、專題研討、應(yīng)用峰會(huì)、合作論壇和創(chuàng)新大賽等多種形式，圍繞第三代半導(dǎo)體的前沿發(fā)展和技術(shù)應(yīng)用設(shè)置多個(gè)專場(chǎng)重點(diǎn)討論。其中圍繞氮化鎵及其它新型寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件技術(shù)設(shè)置了專題分會(huì)。
此次分會(huì)采用召集人+主席+分會(huì)團(tuán)的模式，山東大學(xué)校長(zhǎng)、教授張榮與北京大學(xué)物理學(xué)院教授，北京大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體聯(lián)合研究中心主任、中國(guó)物理學(xué)會(huì)發(fā)光分會(huì)理事張國(guó)義領(lǐng)銜擔(dān)任召集人，匯聚全球頂級(jí)專家精英，打造一場(chǎng)氮化鎵等第三代半導(dǎo)體電力電子器件的盛會(huì)。
弗吉尼亞理工大學(xué)教授、美國(guó)工程院院士Fred Lee將擔(dān)任分會(huì)外方主席，F(xiàn)red Lee主要研究領(lǐng)域包括高頻功率轉(zhuǎn)換，磁學(xué)和電磁干擾，分布式電源系統(tǒng)，可再生能源，電能質(zhì)量，高密度電子封裝和集成，以及建模與控制。
此次分會(huì)還匯集行業(yè)內(nèi)強(qiáng)有力的分會(huì)團(tuán)，為分會(huì)提供不同角度的高階支持。分會(huì)成員沈波，北京大學(xué)物理學(xué)院副院長(zhǎng)，北京大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體聯(lián)合研究中心副主任、教授，1995年開始從事III族氮化物寬禁帶半導(dǎo)體物理、材料和器件研究，1997年以來(lái)主要從事GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料生長(zhǎng)、二維電子氣物性研究和高溫功率器件研制，揭示了強(qiáng)極化、高能帶階躍體系中二維電子氣輸運(yùn)規(guī)律，在氮化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)和電子器件研制上取得重要進(jìn)展。先后主持了國(guó)家“973”計(jì)劃項(xiàng)目、國(guó)家“863”計(jì)劃項(xiàng)目、國(guó)家自然科學(xué)基金等20多項(xiàng)科研項(xiàng)目。
分會(huì)成員張進(jìn)成，西安電子科技大學(xué)教授，主要研究方向?yàn)閷捊麕О雽?dǎo)體材料與器件。先后承擔(dān)和作為主要負(fù)責(zé)人參加了省部級(jí)以上科研項(xiàng)目20余項(xiàng)。其中，作為負(fù)責(zé)人主持國(guó)家級(jí)項(xiàng)目2項(xiàng)、省部級(jí)項(xiàng)目4項(xiàng)。作為主要負(fù)責(zé)人之一，成功研制出我國(guó)具有自主產(chǎn)權(quán)的低缺陷氮化物材料生長(zhǎng)的表面反應(yīng)增強(qiáng)MOCVD和高鋁組份GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)微波材料，性能指標(biāo)達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平。
分會(huì)成員李順峰，北京大學(xué)東莞光電研究院副院長(zhǎng)，曾先后在德國(guó)卡爾斯魯厄大學(xué)以及布倫瑞克工業(yè)大學(xué)從事III族氮化物及III-V化合物半導(dǎo)體材料、結(jié)構(gòu)和器件的生長(zhǎng)以及工藝的研究和開發(fā)。參與和領(lǐng)導(dǎo)了歐盟第七框架項(xiàng)目、德國(guó)教育科研部以及德國(guó)研究基金等多個(gè)項(xiàng)目的研究。2012年10月回國(guó)擔(dān)任北京大學(xué)東莞光電研究院副院長(zhǎng)，負(fù)責(zé)研究院的科研工作及建設(shè)。同時(shí)，領(lǐng)導(dǎo)III族氮化物微結(jié)構(gòu)器件以及高性能封裝材料的研究。
分會(huì)成員陳敬，香港科技大學(xué)教授，曾在日本NTT LSI實(shí)驗(yàn)室和美國(guó)安捷倫科技從事III-V高速器件技術(shù)研發(fā)工作，自2000年起在香港科技大學(xué)任教，他所帶領(lǐng)的團(tuán)隊(duì)目前的研究重點(diǎn)在于開發(fā)電力電子、無(wú)線電/微波及耐高溫電子應(yīng)用等方面的GaN器件技術(shù)。他同時(shí)是IEEE會(huì)士，現(xiàn)為IEEE電子器件學(xué)會(huì)復(fù)合半導(dǎo)體器件與IC技術(shù)委員會(huì)成員。
分會(huì)成員張韻，中科院半導(dǎo)體研究所所長(zhǎng)助理、研究員、博導(dǎo)。曾在美國(guó)高平(Kopin)半導(dǎo)體公司III-V部門從事研發(fā)工作，具備多年GaN、GaAs基器件的設(shè)計(jì)、制造工藝及器件物理分析經(jīng)驗(yàn)。2006年至2010年，參與完成與美國(guó)國(guó)防部先進(jìn)研究項(xiàng)目局(DARPA)在深紫外光電探測(cè)器領(lǐng)域的項(xiàng)目“Deep Ultraviolet Avalanche Photodetectors(DUVAP)”， 及DARPA部署在可見光波段激光器領(lǐng)域的項(xiàng)目“Visible In GaN Injection Lasers(VIGIL)”。在光電子器件領(lǐng)域取得了豐碩成果的同時(shí)，在GaN基大功率電子器件方面也有豐富的經(jīng)驗(yàn)和世界領(lǐng)先的成果。