全閃存陣列，顧名思義，就是全部采用SSD盤構(gòu)成陣列。但從磁盤陣列，到全閃存陣列，并不僅僅是用SSD盤替換磁盤這么簡(jiǎn)單。

　　全閃存架構(gòu)需要從新設(shè)計(jì)

　　SSD與磁盤相比，最大的優(yōu)勢(shì)就在于I/O的讀取速度。從數(shù)據(jù)上看，普通硬盤讀取速度大概是100M/S左右，相比固態(tài)硬盤是250M/S;但不意味著SSD盤讀取速度只是磁盤的2.5倍，因?yàn)榈淖x取速度是指連續(xù)數(shù)據(jù)的讀取速度，鑒于硬盤有尋道時(shí)間開(kāi)銷，SSD沒(méi)有，因此綜合考慮，SSD讀取速度要達(dá)到普通硬盤7~8倍以上。

　　從盤上升到陣列，不是SSD替換磁盤這么簡(jiǎn)單。

　　磁盤陣列的基礎(chǔ)是磁盤，由于磁盤存在尋道時(shí)間開(kāi)銷，所以非常不擅長(zhǎng)處理隨機(jī)I/O，因?yàn)檫^(guò)多尋道勢(shì)必影響陣列的性能。所以，磁盤陣列設(shè)計(jì)的核心就是盡可能處理連續(xù)I/O。

　　與之相比，SSD的優(yōu)勢(shì)是延遲低，但SSD不耐擦寫，經(jīng)過(guò)數(shù)千次擦寫之后，就不能再使用。揚(yáng)長(zhǎng)避短，全閃存陣列設(shè)計(jì)要盡量避免對(duì)SSD多次擦，而不是想盡辦法讓陣列處理連續(xù)數(shù)據(jù)的I/O請(qǐng)求。

　　用SSD對(duì)磁盤進(jìn)行簡(jiǎn)單替換，對(duì)于全閃存陣列來(lái)說(shuō)，無(wú)異于削足適履。對(duì)此，需要用戶提高認(rèn)識(shí)。性能只是全閃存陣列重新設(shè)計(jì)的一個(gè)重要因素，除此之外，還需要考慮快照、克隆(復(fù)制)、精簡(jiǎn)配置和重復(fù)數(shù)據(jù)刪除等功能的實(shí)現(xiàn)，雖然這些在磁盤陣列中已經(jīng)非常成熟，但同樣的規(guī)則和限制并不適用于全閃存的架構(gòu)。