HDS針對(duì)閃存的兩個(gè)缺陷對(duì)自己的HAFS進(jìn)行了很多優(yōu)化的設(shè)計(jì)?？偨Y(jié)起來主要體現(xiàn)在以下三點(diǎn)，第一閃存中添加多個(gè)閃存控制器。據(jù)陳戈介紹，HDS在HAFS當(dāng)中配置了4個(gè)閃存控制器，閃存控制器數(shù)量的增加可以保證數(shù)據(jù)被寫到更多的芯片上，減少對(duì)少數(shù)閃存芯片進(jìn)行大量擦寫的操作，另外4個(gè)閃存控制器還可以有效的對(duì)多余空間進(jìn)行回收，芯片數(shù)據(jù)的整理以及數(shù)據(jù)的在線壓縮等等;第二是增加閃存總線和eMLC的芯片，32條閃存總線和128個(gè)eMLC閃存芯片都有利于減少對(duì)單一閃存芯片進(jìn)行過多的擦寫，而且可以提升閃存的讀寫性能;最后是增加多余的閃存芯片。如果閃存卡本身有120GB容量，為保證壽命，廠商一般會(huì)多做幾GB芯片，通過固件控制表面看來硬盤始終是120GB，當(dāng)其中一部分芯片磨損不能使用之后仍有備用的芯片可以使用，硬盤可以使用的容量依然是120GB。
HUS VM全閃存陣列性能優(yōu)勢(shì)
HUS VM全閃存陣列為適應(yīng)閃存在微碼上做了更新。陳戈提到傳統(tǒng)的存儲(chǔ)架構(gòu)中性能瓶頸在磁盤而不是架構(gòu)本身，而閃存科技的加入，存儲(chǔ)架構(gòu)必須做出相應(yīng)的更新，微碼是其中一方面，在微碼這個(gè)層次上對(duì)閃存的優(yōu)化使得HUS VM成為一個(gè)全閃存陣列而不是一個(gè)普通的存儲(chǔ)加上了SSD。另外HDS今年還會(huì)推出閃存加速軟件進(jìn)一步優(yōu)化全閃存陣列的性能。
HNAS新品：4100、4080、4060
除了HUS VM全閃存陣列，HDS還新推出了三款HNAS新品。陳戈在對(duì)HNAS新品介紹時(shí)說：“HNAS 的4000系列源自HDS收購(gòu)BuleArc的產(chǎn)品，HDS不斷的在這方面加大投入，更好的能夠跟HDS整體的存儲(chǔ)集成在一起。新的HNAS產(chǎn)品采用商業(yè)化Intel CPU，加上我們專有的FPGA的體系架構(gòu)，混合的結(jié)構(gòu)，各自做各自不同的事情。這樣的話，解決方案可以應(yīng)對(duì)并發(fā)IO或者連續(xù)IO等不同的環(huán)境。那么連接端口，HDS把它全部集成到了萬兆以太網(wǎng)?！?/P>