從去年IBM收購(gòu)TMS到現(xiàn)在已經(jīng)過(guò)去了一年時(shí)間，在這一年中IBM發(fā)布了兩個(gè)系列的全閃存陣列（共四種型號(hào)）的新品（2013年4月），另一方面IBM宣布投入10億美元發(fā)展閃存戰(zhàn)略。在近日的2013 IBM閃存技術(shù)與趨勢(shì)研討會(huì)上，IBM再次分享了FlashSystem的優(yōu)勢(shì)和IBM的閃存戰(zhàn)略。
IBM系統(tǒng)與科技部大中華區(qū)新興業(yè)務(wù)總經(jīng)理及FlashSystem總經(jīng)理黃國(guó)文先生
作為大中華區(qū)新興業(yè)務(wù)掌門(mén)人，黃國(guó)文認(rèn)為在過(guò)去的十年中，IT架構(gòu)中CPU、內(nèi)存、網(wǎng)絡(luò)以及總線的性能都有數(shù)倍到數(shù)十倍的提升，但是在存儲(chǔ)介質(zhì)這層只提高了1.2倍。磁盤(pán)在響應(yīng)時(shí)間、IOPS以及可靠性和穩(wěn)定性上都拖慢了數(shù)據(jù)中心的演進(jìn)速度。存儲(chǔ)一定程度上成了數(shù)據(jù)中心的一塊短板，而閃存陣列將成為補(bǔ)齊這塊短板的一個(gè)絕佳的工具，而IBM的閃存陣列就是FlashSystem。
現(xiàn)場(chǎng)展出的一臺(tái)FlashSystem 720全閃存陣列，其中可以看到中間有12條閃存卡，這臺(tái)1U的全閃存陣列最大容量可以做到12TB。
在文章《TMS收購(gòu)成果初現(xiàn)：IBM推FlashSystem全閃存陣列》中關(guān)于FlashSystem的命名規(guī)則的描述，在FlashSystem產(chǎn)品的XX0三位數(shù)字中，第二位“1”表示單控制器而“2”代表HA。那么第一位“7”表示SLC閃存而“8”代表eMLC閃存。從上圖可以看到四個(gè)型號(hào)的FlashSystem的IOPS都在40萬(wàn)到50萬(wàn)之間，讀寫(xiě)響應(yīng)時(shí)間在100/25微秒。（IBM強(qiáng)調(diào)FlashSystem可以在IOPS達(dá)到最高時(shí)保證延遲在微秒級(jí)）