此外，從較小的制程節(jié)點(diǎn)來看，這項(xiàng)技術(shù)也面臨著與FinFET類似的問題。三星現(xiàn)正研究開發(fā)20nm或14nm FD-SOI的“均衡成本要素”，而GlobalFoundries則在一年內(nèi)投資了10億美元，用于研發(fā)下一代的制程幾何。
VLSI Research眼中的SOI制程節(jié)點(diǎn)開發(fā)藍(lán)圖
雖然FD-SOI可望成為FinFET的實(shí)際替代方案，特別是針對需要微縮成本、類比優(yōu)勢與可靠功率的市場;不過，Hutchenson總結(jié)說，F(xiàn)D-SOI還稱不上是真正的顛覆性技術(shù)。
Hutchenson強(qiáng)調(diào)，“FD-SOI并不具有顛覆性，但可望推動顛覆性進(jìn)展。IoT才最具有顛覆力量：它將會像智慧型手機(jī)一樣帶來強(qiáng)大的顛覆性進(jìn)展。”
編譯：Susan Hong
(參考原文：FD-SOI Expands， But Is It Disruptive?，by Jessica Lipsky)