北京時間5月5日消息，英特爾今天表示，在微處理器上實現(xiàn)了歷史性的技術(shù)突破：成功開發(fā)世界首個3D晶體管，名叫Tri-Gate。

據(jù)英特爾介紹說，3D Tri-Gate晶體管能夠支持技術(shù)發(fā)展速度，它能讓摩爾定律延續(xù)數(shù)年。該技術(shù)能促進處理器性能大幅提升，并且可以更節(jié)能，新技術(shù)將用在未來22納米設(shè)備中，包括小的手機到大的云計算服務(wù)器都可以使用。根據(jù)英特爾的解釋，公司重新為芯片設(shè)計了電子開關(guān)（即晶體管），在過去開關(guān)是平面的，現(xiàn)在增加了第三維，它由硅基向上突出。例如，當土地有限，要增加辦公室就可以蓋摩天大樓。新的3D晶體管道理與此相似。

英特爾展示了22納米處理器，代號為Ivy Bridge，它將是首款使用3D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。3D晶體管和2D平面晶體管有本質(zhì)性的區(qū)別，它不只可以用在電腦、手機和消費電子產(chǎn)品上，還可以用在汽車、宇宙飛船、家用電器、醫(yī)療設(shè)備和其它多種產(chǎn)品中。

英特爾CEO歐德寧說：“英特爾的科學(xué)家和工程師曾經(jīng)重新發(fā)明晶體管，這一次利用了3D架構(gòu)。很讓人震驚，改變世界的設(shè)備將被創(chuàng)造出來，我們將把摩爾定律帶入新的領(lǐng)域。”

長久以來，科學(xué)家就認識到3D架構(gòu)可以延長摩爾定律時限。這次突破可以讓英特爾量產(chǎn)3D Tri-Gate晶體管，從而進入到摩爾定律的下一領(lǐng)域。

摩爾定律認為由于硅技術(shù)的發(fā)展，每2年晶體管密度就會翻倍，它能增強功能和性能，降低成本。在過去四十年里，摩爾定律成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基本商業(yè)模式。

通過使用3D晶體管，芯片可以在低電壓和低泄露下運行，從而使性能和能耗取得大幅改進。在低電壓條件下，22納米的3D Tri-Gate晶體管比英特爾32納米平面晶體管性能提高37%。這意味著它能用在許多小的手持設(shè)備中。另外，在相同的性能條件下，新的晶體管耗電不及2D平板晶體管、32納米芯片的一半。

首款3D Tri-Gate晶體管22納米芯片代號為Ivy Bridge，英特爾今天展示了該芯片，它能用在筆記本、服務(wù)器和臺式機中。Ivy Bridge家族的芯片將成為首個大量生產(chǎn)的3D Tri-Gate晶體管芯片，它將在年底開始量產(chǎn)。3D Tri-Gate晶體管還將用在凌動芯片中。

解讀：對ARM構(gòu)成威脅

英特爾推出下一代芯片技術(shù)，在微處理器裝上更多的晶體管，并希望借此幫助公司掌握平板、智能手機市場的話語權(quán)。

按照英特爾的計劃，2011年底將推出采用新技術(shù)的芯片，提供給服務(wù)器和臺式機、筆記本，它還會為移動設(shè)備開發(fā)新的處理器。

采用3D晶體管的英特爾芯片可能會給ARM構(gòu)成威脅，畢竟ARM是現(xiàn)任移動市場的老大。

受新技術(shù)發(fā)布消息刺激，ARM的股價今天大跌7.3%，在倫敦收于5.58英磅。

Matrix分析師阿德里安(Adrien Bommelaer)認為，英特爾是否能迅速闖進ARM的后院，這還沒有定論。他說：“英特爾顯然想跳出核心PC市場的范圍。關(guān)鍵問題是‘它們能推出一款處理器，足夠強大，可以在移動計算領(lǐng)域一爭高下嗎？’”“它們將推出新的芯片，比上一代32納米芯片節(jié)能50%，朝正確方向前進了一大步，但是否足夠？我不知道。要知道ARM自己的能效也在進步。”

據(jù)英特爾說22納米的芯片性能比現(xiàn)在的32納米芯片更高。為了擴大制程技術(shù)的優(yōu)勢，趕上移動競賽，上個月英特爾將2011年資本開支提高到102億美元，原定數(shù)額為90億美元，目的是落實12納米制程的開發(fā)。

在制程工藝上，英特爾大大領(lǐng)先于其它芯片商，它可以制造更快更高效的處理器。

自19世紀60年代以來，英特爾和其它半導(dǎo)體企業(yè)投入數(shù)十億美元搞研發(fā)，每兩年讓芯片上的晶體管數(shù)量翻倍，從而方便產(chǎn)品進入到更小更快的小電子產(chǎn)品中。隨著時間的推進，開發(fā)和使用先進制程技術(shù)成本過高，許多企業(yè)無法負擔。但分析師說，英特爾資金雄厚，能持續(xù)推進制程發(fā)展。

花旗集團分析師揚(Glen Yeung)對英特爾的新技術(shù)表示贊揚，將目標價提高到了27美元，建立買入英特爾股票。他認為英特爾在芯片制造上有3-4年優(yōu)勢，當芯片閑置時，3D晶體管可以減少電流泄露，當芯片繁忙時它能運行在更低的電壓下。