以提升陣列性能來(lái)講，傳統(tǒng)磁盤陣列就是靠增加硬盤數(shù)量來(lái)提高性能，優(yōu)化隊(duì)列深度等問(wèn)題則放在了次要的地位，全閃存陣列則不一樣，由于延遲特別小，所以多盤并發(fā)并不是提升性能的唯一方法，優(yōu)化讀寫路徑、減少寫放大或許更為重要。需要從再造存儲(chǔ)架構(gòu)開(kāi)始。
第三，再造實(shí)時(shí)分析速度需要靠全閃存陣列。如果單是追求速度，那么PCIe閃存卡或許更有優(yōu)勢(shì)，一張主流的PCIe閃存卡可以做到20萬(wàn)IOPS，雖然不比全閃存陣列的性能高，但是用來(lái)做加速肯定是一個(gè)不錯(cuò)的選擇。我們并不能否認(rèn)PCIe閃存卡的加速能力，其在很多數(shù)據(jù)中扮演著加速卡的角色，其應(yīng)用非常廣泛。PCIe閃存卡當(dāng)下只是加速卡而不是存儲(chǔ)是因?yàn)镻CIe閃存卡多是裝于服務(wù)器中，不同服務(wù)器中的閃存資源共享和數(shù)據(jù)交換需要通過(guò)上層軟件來(lái)實(shí)現(xiàn)，或許將來(lái)隨著PCIe交換技術(shù)的發(fā)展，或許PCIe閃存卡會(huì)成為主存儲(chǔ)中的一大介質(zhì)，但是現(xiàn)在只能是加速，如果說(shuō)主存儲(chǔ)，只能是FlashSystem這樣的全閃存陣列。
分析了PCIe閃存卡與全閃存陣列之間的區(qū)別之后，筆者認(rèn)為靠主存儲(chǔ)來(lái)再造實(shí)時(shí)分析速度就需要靠全閃存陣列。FlashSystem為代表的全閃存陣列是一個(gè)完整的存儲(chǔ)解決方案，這么說(shuō)除了提升性能，作為主存儲(chǔ)還有非常多的問(wèn)題需要考慮，比如說(shuō)可靠性，在上文中提到的幾個(gè)行業(yè)實(shí)踐中，如果性能的提升和TCO的下降不是以高可靠和高可用為基礎(chǔ)，恐怕這里列舉的行業(yè)用戶都不會(huì)使用全閃存陣列了。
另一方面，全閃存陣列需要與數(shù)據(jù)中心其他組件或者應(yīng)用進(jìn)行很好的結(jié)合，F(xiàn)lashSystem的V840與SVC的存儲(chǔ)虛擬化的結(jié)合便是IBM對(duì)于下一代主存儲(chǔ)解決方案的一個(gè)重要考量。這就使得全閃存陣列能更好的支持上層應(yīng)用。即是說(shuō)如果全閃存陣列在實(shí)現(xiàn)了傳統(tǒng)存儲(chǔ)所具備的所有功能之后，將系統(tǒng)的性能提高了數(shù)十倍，那么這就是一次成功的再造過(guò)程。
如文章開(kāi)頭舉得例子，打開(kāi)一個(gè)網(wǎng)頁(yè)的時(shí)間為3分鐘和3秒的不同在于，用戶是否會(huì)獲取這個(gè)頁(yè)面的信息，我想這里的3分鐘就意味著價(jià)值為0。全閃存再造實(shí)時(shí)分析速度的意義也在于此，試想以往的一個(gè)季度工作可能在一天之內(nèi)完成，這對(duì)企業(yè)運(yùn)營(yíng)的推動(dòng)作用是不言而喻的。