值得一提的是全閃存陣列和混合陣列。2013年幾大主流存儲(chǔ)廠商都推出了自己最新的全閃存陣列產(chǎn)品。全閃存陣列主打高性能，主流全閃存陣列能夠使得1U的陣列實(shí)現(xiàn)40萬IOPS的性能，但是價(jià)格較高，容量在10TB左右?；旌详嚵袆t兼顧性能和容量兩者的需求，通過軟件實(shí)現(xiàn)SSD與HDD的分層存儲(chǔ)，熱數(shù)據(jù)存在SSD上，稍冷的數(shù)據(jù)被存在HDD上。
不管是全閃存陣列還是混合陣列，其主要的思路還是要提高存儲(chǔ)陣列的性能，作為存儲(chǔ)陣列，配上SAS SSD，雖然性能提高很多，但是兩者都沒能擺脫磁盤陣列帶來的傳統(tǒng)思維。閃存將存儲(chǔ)介質(zhì)的性能提高兩到三個(gè)數(shù)量級之后，存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)中心的形式或許會(huì)得到改變。Fusion-io提供了一種思路，PCIe SSD加入到數(shù)據(jù)中心之后，用戶無需再堆積硬盤實(shí)現(xiàn)高性能，那么將來的閃存或許會(huì)是數(shù)塊PCIe SSD直接插進(jìn)數(shù)據(jù)中心中。
不管是初創(chuàng)存儲(chǔ)廠商還是存儲(chǔ)巨頭都在想怎么破閃存這個(gè)局，F(xiàn)usion-io的張子西近日的一篇《全閃存數(shù)據(jù)中心》文章指出隨著閃存數(shù)據(jù)中心的好處不斷增加，閃存正在逐漸成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，因此現(xiàn)在試水終將會(huì)為未來的數(shù)據(jù)中心鋪平道路。這是Fusion-io對閃存發(fā)展方向的一個(gè)思考，那么將來是否會(huì)有全閃存數(shù)據(jù)中心，全閃存陣列和混合陣列是否能成為磁盤陣列的接班產(chǎn)品都是一個(gè)未知數(shù)。