ChinaByte比特網(wǎng) 4月13日 - 去年8月，IBM收購(gòu)了企業(yè)級(jí)閃存廠商Texas Memory Systems，之后應(yīng)該一直在進(jìn)行整合工作。今天我們終于在IBM網(wǎng)站上看到了閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)（Flash storage systems）產(chǎn)品線，見下圖。
盡管在此之前，IBM的DS8870高端存儲(chǔ)系統(tǒng)等已經(jīng)可以支持全SSD配置，但那就像如今的惠普3PAR那樣，仍然是在為傳統(tǒng)硬盤設(shè)計(jì)的控制器軟硬件架構(gòu)下。而在DRAM、閃存系統(tǒng)和組件方面有著悠久歷史的TMS則不一樣。
我們現(xiàn)在看到的IBM閃存產(chǎn)品線，包括FlashSystem 710和810閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)（即全閃存陣列）、FlashSystem 720和820閃存高可用存儲(chǔ)系統(tǒng)，這些型號(hào)基本上就是照搬原來(lái)TMS的型號(hào)。在服務(wù)器內(nèi)閃存（In-server flash）方面，筆者原本還期待看到原TMS的PCIe SSD，結(jié)果有點(diǎn)失望，目前點(diǎn)擊鏈接打開的頁(yè)面中還是OEM自LSI和Fusion-io的產(chǎn)品。
關(guān)于FlashSystem的命名規(guī)則，上面能夠看出XX0三位數(shù)字中，第二位“1”表示單控制器而“2”代表HA。那么第一位“7”表示SLC閃存而“8”代表eMLC閃存。關(guān)于容量和性能等詳細(xì)規(guī)格大家可以去IBM網(wǎng)站查看，也沒有太多的新鮮之處，我就不在這里贅述了。
IBM FlashSystem 810全閃存陣列（點(diǎn)擊放大）
那么對(duì)于FlashSystem 720/820的高可用硬件配置來(lái)說(shuō)，它們?cè)?10/810 Module-level Variable Stripe RAID（模塊級(jí)可變RAID）的基礎(chǔ)上，還加入了System-level RAID 5 across modules（跨模塊的系統(tǒng)級(jí)RAID 5）和可熱插拔的閃存模塊等特性。
至于整合方案中的“Integrate with SVC and Easy Tier”，其實(shí)就是利用IBM SAN Volume Controller存儲(chǔ)虛擬化設(shè)備充當(dāng)網(wǎng)關(guān)，在FlashSystem和傳統(tǒng)磁盤陣列之間進(jìn)行自動(dòng)分層存儲(chǔ)。我們?cè)凇吨卸舜鎯?chǔ)趨勢(shì)：x86、SSD緩存和虛擬化》一文中曾列出過一個(gè)SVC 6節(jié)點(diǎn)集群配置的示意圖。
另外，對(duì)于IBM之前說(shuō)的將Easy Tier將延伸到服務(wù)器的應(yīng)用感知型閃存緩存，也還沒有看到，估計(jì)要先等IBM自己的PCIe閃存卡吧？無(wú)獨(dú)有偶，惠普去年說(shuō)的SmartCache也一再跳票，這方面反而是戴爾走在了前面（參見：戴爾Fluid Cache for DAS：流動(dòng)緩存第一版）。
點(diǎn)擊放大
上圖是一臺(tái)打開的FlashSystem 820，可以看到在大面積的閃存模塊上使用了FPGA作為控制器。右側(cè)是冗余的散熱風(fēng)扇，上方有用于掉電（DRAM緩存）數(shù)據(jù)保護(hù)的N+1電池（在這里就是2+1）；左上方電源模塊下面的位置是一對(duì)管理控制處理器，再它們下面分別為雙端口8Gb/s FC和雙端口40Gb/s QDR InfiniBand主機(jī)界面。
盡管我們以前對(duì)TMS的產(chǎn)品關(guān)注不算太多，但在《EMC VFCache創(chuàng)新與否？閃存大戰(zhàn)一觸即發(fā)》一文的末尾，曾經(jīng)簡(jiǎn)單介紹過“RamSan-720的高可用建立在雙RAID控制器的基礎(chǔ)上，底層有被稱為“2D Flash RAID”的閃存模塊內(nèi)部（即芯片之間）和跨越閃存模塊的RAID 5”。另外在《SPC-1：閃存 vs.磁盤新舊勢(shì)力的戰(zhàn)場(chǎng)》一文中，我們還提到TMS早期一些的RamSan-630全閃存陣列去年曾以400,503 IOPS創(chuàng)造過SPC-1測(cè)試的紀(jì)錄，并且具備