數(shù)據(jù)庫，所以它們無需存儲(chǔ)太多本地數(shù)據(jù)。相對(duì)音頻和視頻文件的大小而言，就算是一整天的健康和健身測(cè)量數(shù)據(jù)都是極小的。鑒于可穿戴設(shè)備中的空間十分有限，NOR閃存容量與芯片尺寸比NAND更適合于應(yīng)用程序的需求。

　　第二點(diǎn)可能會(huì)讓人感到意外，因?yàn)镹AND閃存陣列的密度要大大高于NOR。實(shí)際上，由于NAND閃存針對(duì)最大密度設(shè)計(jì)，所以產(chǎn)品一般會(huì)使用最小工藝節(jié)點(diǎn)，目前為16nm 。但問題是，除了存儲(chǔ)單元之外，所有存儲(chǔ)器器件都有一定的電路開銷，例如行地址解碼器、感應(yīng)放大器、位線控制電路、外圍I/O電路、電壓調(diào)節(jié)器和I/O針腳等子系統(tǒng)。芯片上的開銷區(qū)并不與存儲(chǔ)容量成線性增加?？s減存儲(chǔ)陣列的尺寸后，芯片上用于外圍邏輯的空間只會(huì)少量增加。這意味著即使使用上一代的25nm工藝尺寸，最小可行的NAND器件也是1Gbit。這對(duì)于大多數(shù)可穿戴應(yīng)用都是無法接受的，因?yàn)槭袌?chǎng)主要需要的是512Mbit或更小的存儲(chǔ)器件。

　　針對(duì)特定制程尺寸縮減NAND容量的局限性也讓封裝后的尺寸對(duì)于許多可穿戴應(yīng)用來說過大。例如，用作某些應(yīng)用的NOR替代品的1Gbit串行NAND采用了9×11毫米63球柵陣列封裝方式。與之相反，最小的串行NOR 512Mbit和1Gbit NOR產(chǎn)品采用4或5×6毫米封裝方式，不到NAND替代品的1/3，因此更適合于可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)生態(tài)系統(tǒng)中其他聯(lián)網(wǎng)傳感器的微型電路板。