3月29-30日,2017(第十一屆)RFID世界大會在蘇州國際博覽中心隆重召開。作為RFID行業(yè)頗具影響力的高端專業(yè)會議,今年的大會共吸引400余位RFID行業(yè)產業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的優(yōu)秀企業(yè)、行業(yè)權威專家、RFID終端用戶代表共同參與。在本次大會上,富士通半導體有限公司系統(tǒng)存儲事業(yè)部FRAM RFID高級工程師羅建先生在本次大會上以《FRAM RFID創(chuàng)新應用解決方案》為主題進行了精彩的演講。

富士通半導體有限公司系統(tǒng)存儲事業(yè)部FRAM RFID高級工程師羅建先生
眾所周知,物聯(lián)網市場一定是巨大的潛力市場。但是RFID的市場現(xiàn)狀呢,經過一定的高速發(fā)展后出現(xiàn)了發(fā)展瓶頸,而標簽價格太低,行業(yè)競爭太激烈,利潤空間太小。羅先生表示,通過富士通的創(chuàng)新解決方案將會給RFID的產品和服務帶來新的價值而繼續(xù)引領物聯(lián)網市場的發(fā)展。
什么是FRAM?FRAM(鐵電存儲器)使用鐵電材料作為數據載體,同時具有隨機存儲(RAM)和只讀存儲器(ROM)的優(yōu)勢。FRAM是一種非易失性存儲器,在沒有電源的情況下可以保存數據,用于數據存儲。
在本次大會上,羅先生詳細的介紹了FRAM應用于RFID的特點及優(yōu)勢。



FRAM存儲技術技術優(yōu)勢參數對比
FRAM的優(yōu)勢,首先它具有快速讀寫數據能力,如果寫入2Mbit(兆比特)的數據,EEPROM需要13.4s,F(xiàn)LASH需要2.9s,而FRAM卻僅僅只要0.5s。其次,可以被頻繁擦寫,一般的存儲器像EEPROM的讀寫次數大概100萬次,而FRAM可以達到10萬億次。再次,功耗低,EEPROM在寫入時最大電流需要5mA,而FRAM只需要10uA。而且,F(xiàn)RAM具備的頻繁的換寫次數,高速寫數據能力以及低功耗的優(yōu)勢滿足了FRAM在工業(yè)、民用等領域的各種創(chuàng)新應用。
據羅先生介紹,F(xiàn)RAM應用于RFID有以下幾個特點,一是耐輻射性,在強輻射的照射下數據任然可以安全存儲;二是低功耗和外部元器件供電,在不穩(wěn)定電源或者不需要電源狀態(tài)下,任然可以實現(xiàn)高可靠的讀寫應用;三是快速讀寫能力,提高標簽的讀寫吞吐量提高效率。還有,大容量可以滿足大量數據的存儲,同等的讀寫距離使應用更方便。以及FRAM RFID的三大顯著優(yōu)勢,抗輻射性,低功耗和快速寫入。

FRAM的標簽和EEPROM的標簽的讀寫實驗的比較
FRAM RFID的應用
FRAM RFID 廣泛應用于工業(yè)自動化,醫(yī)療殺菌,無電源以及很多EEPROM RFID 不能滿足要求的領域。
羅先生稱,富士通的產品線13.5MHz HF的有三款產品256字節(jié),2K字節(jié)以及8K字節(jié),主要應用在FA上。UHF超高頻RFID芯片產品主要應用在醫(yī)療殺菌用途上,還有正在開發(fā)的UHF的新產品具有大容量、SPI接口和供電功能,將主要瞄準物聯(lián)網和嵌入式市場。

在工業(yè)自動化FA的應用:利用大容量和快速讀寫性能在FA和設備維護上的廣泛應用。產品生產線的工程管理,實現(xiàn)工廠自動化和產品的高吞吐量。在設備維護上大大提高操作性和工作效率。
汽車生產廠商的生產線上的應用:RFID存儲和管理流水線的生產工程,不僅讓每一個環(huán)節(jié)可以追溯,而且FRAM的高速讀寫性能極大提高生產線的產品的吞吐量。