憶阻器的未來(lái)
HP 關(guān)于憶阻器的發(fā)現(xiàn)在 2008 年時(shí)發(fā)表于「自然」期刊，2009 年證明了 Cross Latch 的系統(tǒng)很容易就能堆棧，形成立體的內(nèi)存。目前的技術(shù)每個(gè)電線間的「開關(guān)」大約是 3nm x 3nm 大，開關(guān)切換的時(shí)間約在 1ns 左右，整體的運(yùn)作速度約是 DRAM 的 1/10 -- 還不足以取代 DRAM，但是靠著 1 cm² 100 gigabit， 1cm³ 1 petabit（別忘了它是可以堆棧的）的驚人潛在容量，干掉閃存是綽綽有余的。
但是 Crossbar Latch 可不止用來(lái)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)而已。它的網(wǎng)格狀設(shè)計(jì)，和每個(gè)交叉點(diǎn)間都有開關(guān)，意味著整組網(wǎng)格在某些程度上是可以邏輯化的。在原始的 Crossbar Latch 論文中就已經(jīng)提到了如何用網(wǎng)格來(lái)模擬 AND、OR 和 NOT 三大邏輯閘，幾個(gè)網(wǎng)格的組合甚至可以做出加法之類的運(yùn)算。這為擺脫晶體管進(jìn)到下一個(gè)世代開了一扇窗，很多人認(rèn)為憶阻器電腦相對(duì)于晶體管的躍進(jìn)，和晶體管相對(duì)于真空管的躍進(jìn)是一樣大的。另一方面，也有人在討論電路自已實(shí)時(shí)調(diào)整自已的狀態(tài)來(lái)符合運(yùn)算需求的可能性。這點(diǎn)，再搭配上憶阻器的記憶能力，代表著運(yùn)算電路和記憶電路將可同時(shí)共存，而且隨需要調(diào)整。這已經(jīng)完全超出了這一代電腦的設(shè)計(jì)邏輯，可以朝這條路發(fā)展下去的話，或許代表著新一代的智慧機(jī)器人的誕生。
不過(guò)這些都是未來(lái)的事了。HP 的目標(biāo)訂的還算含蓄，只答應(yīng)在 2013 年時(shí)，生產(chǎn)出與當(dāng)世代的 Flash 同等價(jià)格，但兩倍容量的憶阻器記憶裝置。對(duì)大部份人來(lái)說(shuō)，這個(gè)轉(zhuǎn)變會(huì)是相當(dāng)?shù)驼{(diào)的 -- 就像芯片制程已經(jīng)一步步地降到了 24nm，但是對(duì)一般人來(lái)說(shuō)，CPU 或是內(nèi)存、隨身碟一直都長(zhǎng)那個(gè)樣子，沒有在變。只是在里面，憶阻器和 Crossbar Latch 的組合代表的是電腦科技的全新進(jìn)展，或許能讓我們?cè)僖淮窝永m(xù)摩爾定律的生命，朝向被機(jī)器人統(tǒng)治的未來(lái)前進(jìn)。
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