美國愛荷華州立大學的研究人員與美國能源部艾姆斯實驗室(Ames Laboratory)合作研發(fā)出一種提高存儲速度的方法，即使用超短激光脈沖和特殊材料，可將磁性切換的速度比目前的存儲設(shè)備提高大約1000倍。

美國愛荷華州立大學物理與天文學系王繼剛教授及其團隊在《自然》雜志上發(fā)表了他們的實驗結(jié)果，在其實驗中，他們使用巨大磁阻材料放置在電場中，從而極大地改變其電磁阻力。

根據(jù)艾姆斯實驗室發(fā)出的一份聲明顯示，目前的磁存儲依賴于加熱鐵磁材料——通常通過其他磁場或者連續(xù)激光，來改變自己的方向，與使用激光的極微小脈沖來引起巨大磁阻材料發(fā)生相同的變化相比，這需要花更長的時間。

從本質(zhì)上來將，愛荷華州立大學研究人員開發(fā)的技術(shù)可以允許RAM模塊或者硬盤驅(qū)動器可以更快地將0變?yōu)?，并且使用更少的能源。

然而，王教授稱這種技術(shù)并不會很快出現(xiàn)在市面上。

“超巨磁阻材料是非常吸引人的技術(shù)，但我們?nèi)匀恍枰嗟亓私馑鼈兪侨绾芜\作的，”王教授稱，“特別是，我們必須了解當加熱不顯著而激光脈沖仍然在與巨大磁阻材料中的磁矩相互作用的非常短的時間內(nèi)會發(fā)生什么。”(鄒錚編譯)